| 名稱 | 單晶硅上大面積(100)取向的金剛石膜的生長方法 | ||
| 公開號 | 1132267 | 公開日 | 1996.10.02 |
| 主分類號 | C23C16/26 | 分類號 | C23C16/26 |
| 申請號 | 95119376.7 | ||
| 分案原申請號 | 申請日 | 1995.12.12 | |
| 頒證日 | 優先權 | ||
| 申請人 | 吉林大學 | 地址 | 130023吉林省長春市解放大路123號 |
| 發明人 | 顧長志; 金曾孫 | 國際申請 | |
| 國際公布 | 進入國家日期 | ||
| 專利代理機構 | 吉林大學專利事務所 | 代理人 | 王恩遠 |
| 摘要 | 在單晶硅上大面積（１００）取向金剛石膜的生長方法，是將單晶硅襯底在金剛石粉中研磨產生劃痕，以Ｈ#-[2]、ＣＨ#-[4]、ＣＯ為反應氣體，采用微波制膜技術，控制系統壓力３０～４５ｔｏｒｒ范圍，嚴格控制襯底溫度在８７０～８９０℃范圍，并使襯底以０．２～１轉／分的轉速勻速轉動，可制備大面積均勻生長的（１００）取向的金剛石膜。本發明具有工藝簡單、設備少、對襯底的解理面要求寬松、生長速度快，生長面積大等特點，適于生產。 | ||
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