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官方微信摘要 名稱在低熔點襯底上淀積金剛石狀碳膜的方法公開號1064710公開日1992.09.23主分類號C23C14/30&n
| 名稱 | 在低熔點襯底上淀積金剛石狀碳膜的方法 | ||
| 公開號 | 1064710 | 公開日 | 1992.09.23 |
| 主分類號 | C23C14/30 | 分類號 | C23C14/30;C23C14/06;G02B1/10;G02B1/04 |
| 申請號 | 91101620.1 | ||
| 分案原申請號 | 申請日 | 1991.03.13 | |
| 頒證日 | 優先權 | ||
| 申請人 | 博士倫有限公司 | 地址 | 美國紐約州 |
| 發明人 | 邁克爾·J·坎博 | 國際申請 | |
| 國際公布 | 進入國家日期 | ||
| 專利代理機構 | 中國專利代理(香港)有限公司 | 代理人 | 肖掬昌; 曹濟洪 |
| 摘要 | 在充有選擇性腐蝕氣體（例如氫）的真空度不同的小室中用經電子束蒸發的固體碳源在絕緣襯底上淀 積金剛石狀碳膜，以便使襯底的溫度維持在１５０℃ 以下。為了用帶正電的離子轟擊襯底同時防止排斥性表面電荷聚集，往夾持襯底的旋轉夾具上加一個射頻電場。抽成不同真空度的小室保持小室一端固體碳源周圍的環境壓強使其低得足以防止電子束能量損耗，并使碳得以蒸發，同時保持小室另一端的襯底使其處于較高的壓強，從而使射頻電場得以激活襯底周圍的離子氣體等離子體，以便淀積金剛石狀碳膜。 | ||
豫公網安備41019702003646號