申請號：201611195460.X
　　申請人：北京科技大學
　　發明人：何新波 潘彥鵬 任淑彬 吳茂 張忍 曲選輝

　　摘要： 本發明屬于粉末冶金技術領域，涉及一種雙鍍層金剛石粉末的制備方法，采用鹽浴鍍覆技術在金剛石表面鍍覆一層均勻的WC用來改善金剛石與銅的潤濕性，然后采用化學鍍覆方法持續在WC層表面鍍銅，通過控制鍍液中Cu2+含量來控制鍍銅層厚度，從而制備出含銅體積分數為30～50vol.％的雙鍍層Cu?WC?Diamond粉末。該粉末可直接壓制成形(Diamond/Cu)復合材料零部件，實現了復雜形狀金屬基復合材料零部件的近凈成形。本發明的優點在于可通過控制鍍銅層厚度制備Cu?WC?Diamond粉末，而制備的Cu?WC?Diamond粉末的鍍銅量即為壓制該粉末成形后的Diamond/Cu復合材料的含銅量，因此制備的復合材料金剛石分布均勻，結合強度高，性能優異。 　　主權利要求：1.一種雙鍍層金剛石粉末的制備方法，其特征在于：采用鹽浴鍍覆技術在金剛石表面鍍覆一層均勻的WC用來改善金剛石與銅的潤濕性，然后采用化學鍍覆方法持續在WC層表面鍍銅，通過調整鍍液中Cu2+含量來控制鍍銅層厚度，從而制備出含銅體積分數為30～50vol.％的雙鍍層Cu-WC-Diamond粉末；具體工藝為：1)將經過篩分的金剛石粉末、WO3粉末以及混合鹽NaCl-KCl，通過機械混料機混合均勻，然后在通Ar氣的快速升溫管式電爐中進行反應燒結，在高溫下使熔鹽中的WO3粉末與表面石墨化的金剛石反應形成WC層；混合鹽摩爾比NaCl:KCl＝1:1；2)隨爐冷卻后，將得到的產物進行超聲酒精清洗篩分出鍍覆WC層的金剛石粉體；3)在鍍覆WC層的金剛石粉體表面進行化學鍍銅，鍍銅過程如下：將金剛石粉體置于濃度為30g/L的SnCl2去離子水溶液中進行表面敏化，然后置于濃度為0.25g/L的PdCl2去離子水溶液中進行表面活化，最后在配制好的硫酸銅鍍液中進行化學鍍銅。
　　2.根據權利要求1所述的雙鍍層金剛石粉末的制備方法，其特征在于：步驟3)中硫酸銅鍍液配方為：CuSO4·5H2O(15g/L)，37％HCHO水溶液(14ml/L)，EDTA(14.5g/L)，C4O6H4KNa(14g/L)，二聯吡啶(0.02g/L)，亞鐵氰化鉀(0.01g/L)；鍍液的酸堿度控制在PH>11，反應溫度控制在43±0.5℃；通過控制硫酸銅鍍液的用量制備出含銅體積分數不同的雙鍍層Cu-WC-Diamond粉末。
　　3.根據權利要求1所述的雙鍍層金剛石粉末的制備方法，其特征在于：步驟1)所述金剛石粉的晶型度為MBD4～MBD12，平均粒度為80～120μm；金剛石粉末與WO3粉末的摩爾比為10:1～3，金剛石粉末與混合鹽的質量比為1:3～5，混粉時間為0.5～3h，粉末裝載量為53～73vol.％。
　　4.根據權利要求1所述的所述的雙鍍層金剛石粉末的制備方法，其特征在于：步驟1)所述反應燒結，燒結溫度為900℃～1000℃，時間為0.5～2h。
　　5.根據權利要求2所述的所述的雙鍍層金剛石粉末的制備方法，其特征在于：硫酸銅鍍液的用量是0.286～0.668L/g，鍍覆時間是1～6h；雙鍍層Cu-WC-Diamond粉末含銅體積分數為30～50vol.％。