申請人:哈爾濱工業大學
發明人:甘陽 申健 張丹 朱玉蓉 張飛虎
摘要:采用AFM金剛石探針對陶瓷材料進行納米條紋陣列加工的方法,它涉及一種對超硬陶瓷材料局部進行超細納米條紋陣列結構加工的方法。本發明是為了解決超硬陶瓷材料化學惰性高、硬度大,難加工的技術問題。本方法如下:一、制備AFM金剛石針尖;二、AFM金剛石針尖對超硬陶瓷材料(SiC單晶)表面刻劃。本發明是一種對超硬陶瓷材料進行超細納米條紋陣列結構加工的方法,能直觀地觀察金剛石晶體對超硬陶瓷材料的刻劃情況,在超硬陶瓷材料表面刻劃出超細納米條紋陣列(條紋寬度低至15nm),具有重復性好、效率高等優點。本發明屬于對超硬陶瓷材料進行超細納米條紋陣列結構加工的領域。

2.根據權利要求1所述采用AFM金剛石探針對陶瓷材料進行納米條紋陣列加工的方法,其特征在于步驟二中所述的超硬陶瓷材料為碳化硅單晶,莫氏硬度為9.5級。
3.根據權利要求1所述采用AFM金剛石探針對陶瓷材料進行納米條紋陣列加工的方法,其特征在于步驟二中所述的超硬陶瓷材料為碳化硼,莫氏硬度為9.3級。
4.根據權利要求1所述采用AFM金剛石探針對陶瓷材料進行納米條紋陣列加工的方法,其特征在于步驟二中AFM的設定電壓值為3~9V。
5.根據權利要求1所述采用AFM金剛石探針對陶瓷材料進行納米條紋陣列加工的方法,其特征在于步驟二中AFM的設定電壓值為4~8V。
6.根據權利要求1所述采用AFM金剛石探針對陶瓷材料進行納米條紋陣列加工的方法,其特征在于步驟二中AFM的設定電壓值為5~7V。
7.根據權利要求1所述采用AFM金剛石探針對陶瓷材料進行納米條紋陣列加工的方法,其特征在于步驟二中AFM的設定電壓值為6V。
8.根據權利要求1所述采用AFM金剛石探針對陶瓷材料進行納米條紋陣列加工的方法,其特征在于步驟二中采用AFM接觸模式在超硬陶瓷材料表面進行刻劃10~60min。
9.根據權利要求1所述采用AFM金剛石探針對陶瓷材料進行納米條紋陣列加工的方法,其特征在于步驟二中采用AFM接觸模式在超硬陶瓷材料表面進行刻劃1.5~4h。
10.根據權利要求1所述采用AFM金剛石探針對陶瓷材料進行納米條紋陣列加工的方法,其特征在于步驟二中采用AFM接觸模式在超硬陶瓷材料表面進行刻劃2.5h。