申請號：201610556025.9
　　申請人：吉林大學
　　發明人：周強 付鑫鵬 李芳菲

　　摘要：本發明的向金剛石對頂砧轉移二維層狀半導體材料的裝置和方法屬于高壓裝置的技術領域。裝置結構有光學顯微鏡(9)、樣品臺(4)、三維平移臺(5)、延展臂(6)、豎井(7)和玻璃片(8)。利用本發明可以將二維層狀半導體材料轉移到金剛石對頂砧中，克服了傳統技術中襯底材料形變影響樣品材料性質的弊端，更打破了目前少數層級二維層狀半導體材料高壓下電學性能測量中的技術壁壘。 　　主權利要求：1.一種向金剛石對頂砧轉移二維層狀半導體材料的裝置，其結構有光學顯微鏡(9)和樣品臺(4)，其特征在于，結構還有三維平移臺(5)、延展臂(6)、豎井(7)和玻璃片(8)，其中延展臂(6)的一端固定在三維平移臺(5)上且能在三維平移臺(5)的帶動下在前后、左右、豎直3個方向自由平移，延展臂(6)的另一端與豎井(7)的頂部固定在一起，豎井(7)垂直放置，其中心有一個由上到下的通孔，豎井的底部粘附玻璃片(8)。
　　2.一種向金剛石對頂砧轉移二維層狀半導體材料的方法，其特征在于，利 用權利要求1所述的向金剛石對頂砧轉移二維層狀半導體材料的裝置完成，具體 有以下步驟：第一步，在膠膜襯底上用機械剝離方法制備樣品，所述的膠膜襯底是聚二甲 基硅氧烷膠膜，將膠膜襯底剪成面積1.5cm2的正方形，去掉前后的保護膜，貼 到一個干凈的載玻片上，然后將一塊二維層狀半導體材料放到膠帶中，將膠帶反 復對折撕開，直至膠帶上均勻分布著一層樣品，將帶有樣品的膠帶覆蓋到膠膜襯 底上，撕下膠帶，在膠膜襯底上留存了二維層狀半導體材料，最后將膠膜襯底放 到光學顯微鏡(9)下找到樣品，并在膠膜襯底上直接進行光學手段表征，以確 定目標樣品的層數；第二步，將帶有目標樣品的膠膜襯底用手術刀切割成所需的尺寸，從載玻片 上取下，粘貼到豎井(7)底部的玻璃片(8)的下表面上，膠膜襯底不帶樣品的 一面與豎井(7)底部的玻璃片(8)接觸，帶樣品的一面與空氣接觸；第三步，將金剛石對頂砧的上砧(11)和下砧(12)分開，使樣品腔(2) 和金屬墊片(3)依舊停留在上砧(11)中，將下砧(12)放到樣品臺(4)上， 利用光學顯微鏡(9)找到下砧(12)的砧面，并將擬放置樣品的目標位置移至 光學顯微鏡(9)的視野中心；第四步，使豎井(7)位于下砧(12)的砧面的上方，且帶有目標樣品的膠 膜襯底不與下砧(12)的砧面接觸，調節光學顯微鏡(9)的焦距，使其聚焦在 膠膜襯底上，調節三維平移臺(5)，使目標樣品處于視野中心，此時目標樣品與 其擬轉移到的目標位置在豎直方向上是對齊的，然后調節三維平移臺(5)，使目 標樣品向下，直至下砧(12)的砧面與膠膜襯底之間存在壓力，然后調節三維平 移臺(5)，使膠膜襯底與下砧(12)的砧面分離，由于吸附作用，目標樣品被吸 附于下砧(12)的砧面上；第五步，將金剛石對頂砧的樣品腔(2)中充上傳壓介質，并將金剛石對頂 砧的下砧(12)與上砧(11)復位；所述的金剛石對頂砧是活塞圓筒型金剛石對頂砧。