申請號：201580002536.X
　　申請人：并木精密寶石株式會社
　　發明人：會田英雄 小山浩司 池尻憲次郎 金圣祐

　　摘要：本發明提供通過在結晶生長時釋放應力而防止金剛石基板產生裂紋、且能將金剛石基板內部的結晶面的曲率降低到超過0km-1且1500km-1以下的金剛石基板及制造方法。該金剛石基板的制造方法的特征在于，準備基體基板，在該基體基板的單面形成多個由金剛石單晶構成的柱狀金剛石，使金剛石單晶從各柱狀金剛石的前端生長，并使從各柱狀金剛石的前端生長的各金剛石單晶聚結以形成金剛石基板層，從基體基板將金剛石基板層分離，由金剛石基板層制造金剛石基板，使金剛石基板的內部的結晶面的曲率為超過0km-1且1500km-1以下。 　　主權利要求：1.一種金剛石基板，其特征在于，金剛石基板由金剛石單晶構成，金剛石基板的內部的結晶面還具有曲率，該曲率為超過0km-1且1500km-1以下。
　　2.根據權利要求1所述的金剛石基板，其特征在于，所述曲率為超過0km-1且400km-1以下。
　　3.根據權利要求1或2所述的金剛石基板，其特征在于，所述曲率為超過0km-1且200km-1以下。
　　4.根據權利要求1至3中任一項所述的金剛石基板，其特征在于，所述金剛石基板的平面方向的形狀是圓形形狀或設有取向平面的圓形形狀， 且直徑為0.4英寸以上。
　　5.根據權利要求4所述的金剛石基板，其特征在于，所述直徑為2英寸以上。
　　6.根據權利要求4或5所述的金剛石基板，其特征在于，所述直徑為2英寸以上8英寸以下。
　　7.根據權利要求1至6中任一項所述的金剛石基板，其特征在于，所述結晶面是(001)。
　　8.根據權利要求1至7中任一項所述的金剛石基板，其特征在于，所述金剛石基板的表面的表面粗糙度Ra不足1nm。
　　9.根據權利要求8所述的金剛石基板，其特征在于，所述表面粗糙度Ra為0.1nm以下。
　　10.根據權利要求1至9中任一項所述的金剛石基板，其特征在于，所述金剛石基板的厚度為0.05mm以上3.0mm以下。
　　11.根據權利要求10所述的金剛石基板，其特征在于，所述厚度為0.3mm以上3.0mm以下。
　　12.根據權利要求10或11所述的金剛石基板，其特征在于，所述金剛石基板的厚度為0.5mm以上0.7mm以下。
　　13.一種金剛石基板的制造方法，其特征在于，準備基體基板，在該基體基板的單面形成多個由金剛石單晶構成的柱狀金剛石，使金剛石單晶從各柱狀金剛石的前端生長，并使從各柱狀金剛石的前端生長的各金剛石單晶聚結以形成金剛石基板層，從基體基板將金剛石基板層分離，由金剛石基板層制造金剛石基板，使金剛石基板的內部的結晶面的曲率為超過0km-1且1500km-1以下。
　　14.根據權利要求13所述的金剛石基板的制造方法，其特征在于，通過在所述柱狀金剛石產生應力以使所述柱狀金剛石破壞來進行所述基體 基板和所述金剛石基板層的分離。
　　15.根據權利要求14所述的金剛石基板的制造方法，其特征在于，所述應力是因所述基體基板和所述金剛石基板層的晶格常數差而產生的應 力和/或因所述基體基板和所述金剛石基板層的熱膨脹系數差而產生的應力。
　　16.根據權利要求13～15中任一個所述的金剛石基板的制造方法，其特征在于，所述各柱狀金剛石的縱寬比為5以上。
　　17.根據權利要求13～16中任一個所述的金剛石基板的制造方法，其特征在于，將所述柱狀金剛石的直徑和間距分別設定為10μm以下。
　　18.根據權利要求13～17中任一個所述的金剛石基板的制造方法，其特征在于，所述基體基板的所述單面的表面粗糙度Ra為10nm以下。
　　19.根據權利要求13～18中任一個所述的金剛石基板的制造方法，其特征在于，將所述柱狀金剛石的高度方向設定為相對于形成所述柱狀金剛石的所述金剛石單晶的(001)面垂直的方向。
　　20.根據權利要求13～19中任一個所述的金剛石基板的制造方法，其特征在于，所述柱狀金剛石為圓柱狀，在高度方向上，所述柱狀金剛石的中心部分的直徑形成得比前端部分的直徑細。
　　21.根據權利要求13～20中任一個所述的金剛石基板的制造方法，其特征在于，使所述曲率為超過0km-1且400km-1以下。
　　22.根據權利要求13～21中任一個所述的金剛石基板的制造方法，其特征在于，使所述曲率為超過0km-1且200km-1以下。
　　23.根據權利要求13～22中任一個所述的金剛石基板的制造方法，其特征在于，所述金剛石基板的平面方向的形狀是圓形形狀或設有取向平面的圓形形狀，且直徑為0.4英寸以上。
　　24.根據權利要求23所述的金剛石基板的制造方法，其特征在于，所述直徑為2英寸以上。
　　25.根據權利要求23或24所述的金剛石基板的制造方法，其特征在于，所述直徑為2英寸以上8英寸以下。