申請(qǐng)?zhí)枺?01410234041.7
　　申請(qǐng)人：上海交友鉆石涂層有限公司
　　發(fā)明人：孫方宏 張文驊 郭睿 郭松壽 張志明 沈荷生

　　摘要：本發(fā)明公開(kāi)了一種適用于水潤(rùn)滑的金剛石涂層拉拔模具制備方法；以各種孔徑的硬質(zhì)合金拉拔模具為襯底，內(nèi)孔表面經(jīng)稀鹽酸滴加雙氧水腐蝕去鈷，以碳化硅粉噴砂、鉆石粉研磨粗化處理，洗凈后熱絲CVD法沉積金剛石涂層；將金剛石涂層拉拔模具先后或交叉進(jìn)行稀硫酸條件下的陽(yáng)極氧化和有氧條件下對(duì)涂層研磨拋光等后處理，使金剛石涂層最后的表面光潔度達(dá)到Ra≤0.1μm。金剛石涂層拉拔模具工作面硬度高，耐腐蝕，其表面親水性又能使水形成連續(xù)的潤(rùn)滑膜，加上涂層表面均勻分布有自潤(rùn)滑性的石墨成份，在金屬拉絲、管減徑減壁的拉拔過(guò)程中，可以用水潤(rùn)滑代替油潤(rùn)滑，不但可以降低成本，而且能夠有效避免油基潤(rùn)滑劑的大量使用引起的生態(tài)環(huán)境污染。

　　主權(quán)利要求：1.一種適用于水潤(rùn)滑的金剛石涂層拉拔模具制備方法，其特征在于，所述方法包括如下步驟：A、以各種孔徑的硬質(zhì)合金拉拔模具為襯底，內(nèi)孔表面經(jīng)稀鹽酸滴加雙氧水腐蝕去鈷后，經(jīng)碳化硅粉噴砂、金剛石微粉研磨粗化處理，洗凈備用；B、將步驟A處理后的模具進(jìn)行熱絲CVD法沉積金剛石涂層；C、除內(nèi)孔外，將沉積金剛石涂層的模具的其他部位用石蠟保護(hù)后，作為陽(yáng)極置于稀硫酸中進(jìn)行陽(yáng)極氧化，洗凈；D、步驟C制得的模具內(nèi)孔表面在有氧條件下進(jìn)行金剛石微粉研磨拋光；E、重復(fù)步驟C、D，至內(nèi)孔表面光潔度達(dá)Ra≤0.1μm，濕潤(rùn)角接近于零度；即得所述適用于水潤(rùn)滑的金剛石涂層拉拔模具。
　　2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的適用于水潤(rùn)滑的金剛石涂層拉拔模具制備方法，其特征在于，所述熱絲CVD法沉積中，反應(yīng)氣體為氫氣和摻硼的碳源氣體，所述摻硼的碳源氣 體中硼碳原子比為0.1～1％。
　　3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的適用于水潤(rùn)滑的金剛石涂層拉拔模具制備方法，其特征在于，所述碳源為甲烷和含氧有機(jī)低分子化合物的混合氣體；所述碳源中碳氧原子比為 2～10。
　　4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的適用于水潤(rùn)滑的金剛石涂層拉拔模具制備方法，其特征在于，所述含氧有機(jī)低分子化合物包括乙醇、丙酮、甲醇中的一種或幾種。
　　5.根據(jù)權(quán)利要求1～4中任一項(xiàng)所述的適用于水潤(rùn)滑的金剛石涂層拉拔模具制備方法，其特征在于，所述熱絲CVD法沉積的工藝條件為：熱絲位于孔徑軸線(xiàn)位置，反 應(yīng)壓力為2～8kPa，氣體總流量400～1000ml/min，碳源/氫氣體積比1～5％，熱絲溫度2000～2300℃，直流偏流2～10A，經(jīng)4～8小時(shí)沉積得到10～20μm的導(dǎo)電金剛石 涂層。
　　6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的適用于水潤(rùn)滑的金剛石涂層拉拔模具制備方法，其特征在于，步驟C中，所述稀硫酸濃度為0.02～0.2mol/L，所述陽(yáng)極氧化采用的電極電壓 2～5V，時(shí)間為20～60min。
　　7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的適用于水潤(rùn)滑的金剛石涂層拉拔模具制備方法，其特征在于，步驟D中，所述金剛石微粉的粒度為5～20μm，研磨拋光時(shí)間為0.5～5h。