申請人:南京航空航天大學(xué)
專利號:CN102242374A
一種鈦基摻硼金剛石涂層電極的制備方法,它是通過在基底材料上濺射過渡層,再在此基礎(chǔ)上CVD法沉積摻硼金剛石涂層來實(shí)現(xiàn)的。由基材、過渡層和金剛石層構(gòu)成的電極,其特征在于所述的基材為鈦,過渡層為通過磁控濺射的鈮或鉭,CVD工藝中使用摻硼濃度為6000-10000ppm。本發(fā)明提供了長壽、高電解率的BDD電極的制備方法,它具有成本低,高重復(fù)性的優(yōu)點(diǎn)。
申請人:南京航空航天大學(xué)
專利號:CN102242374A
一種鈦基摻硼金剛石涂層電極的制備方法,它是通過在基底材料上濺射過渡層,再在此基礎(chǔ)上CVD法沉積摻硼金剛石涂層來實(shí)現(xiàn)的。由基材、過渡層和金剛石層構(gòu)成的電極,其特征在于所述的基材為鈦,過渡層為通過磁控濺射的鈮或鉭,CVD工藝中使用摻硼濃度為6000-10000ppm。本發(fā)明提供了長壽、高電解率的BDD電極的制備方法,它具有成本低,高重復(fù)性的優(yōu)點(diǎn)。
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