申請人：南京航空航天大學
專利號：CN102242374A
一種鈦基摻硼金剛石涂層電極的制備方法，它是通過在基底材料上濺射過渡層，再在此基礎上CVD法沉積摻硼金剛石涂層來實現的。由基材、過渡層和金剛石層構成的電極，其特征在于所述的基材為鈦，過渡層為通過磁控濺射的鈮或鉭，CVD工藝中使用摻硼濃度為6000-10000ppm。本發明提供了長壽、高電解率的BDD電極的制備方法，它具有成本低，高重復性的優點。
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