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官方微信摘要 名稱純碳粉水基分散一步法制造反應燒結碳化硅陶瓷材料的方法公開號1264687公開日2000.08.30主分類號C04
| 名稱 | 純碳粉水基分散一步法制造反應燒結碳化硅陶瓷材料的方法 | ||
| 公開號 | 1264687 | 公開日 | 2000.08.30 |
| 主分類號 | C04B35/573 | 分類號 | C04B35/573 |
| 申請號 | 00114425.1 | ||
| 分案原申請號 | 申請日 | 2000.03.15 | |
| 頒證日 | 優先權 | ||
| 申請人 | 武漢工業大學 | 地址 | 430070湖北省武漢武昌珞獅路112號 |
| 發明人 | 武七德; 魏明坤; 王懷德; 韓建軍; 洪小林 | 國際申請 | |
| 國際公布 | 進入國家日期 | ||
| 專利代理機構 | 湖北省專利事務所 | 代理人 | 盛亞仙 |
| 摘要 | 一種用水為分散劑，以純碳粉取代碳化硅粉制造高性能反應燒結碳化硅陶瓷的方法，采用添加外加劑的方法制成高分散的水基泥漿（料），采用注漿、擠塑、凝膠注成型的方法制成生坯，用控制粉料粒徑以及燒蝕劑、填充劑加入量的方法，調整生（素）坯的孔徑分布和單位體積碳含量，生坯經干燥后，經１５５０～２１６５０℃真空下或１８５０～２０５０℃氬氣氣氛下滲硅燒結２小時，制得反應燒結碳化硅陶瓷材料。 | ||
豫公網安備41019702003646號