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官方微信摘要 名稱以碳化硅材料為基材并具有多個不同電氣特性的分區的半導體結構公開號1265227公開日2000.08.30主分類號
| 名稱 | 以碳化硅材料為基材并具有多個不同電氣特性的分區的半導體結構 | ||
| 公開號 | 1265227 | 公開日 | 2000.08.30 |
| 主分類號 | H01L29/24 | 分類號 | H01L29/24;//H01L29/78,29/808H01L29/812,,29/739 |
| 申請號 | 98807535.0 | ||
| 分案原申請號 | 申請日 | 1998.07.27 | |
| 頒證日 | 優先權 | [32]1997.7.31[33]DE[31]19733076.2 | |
| 申請人 | 西門子公司 | 地址 | 德國慕尼黑 |
| 發明人 | 德薩德·彼得斯; 萊因霍爾德·肖納 | 國際申請 | PCT.DE98/02108 1998.7.27 |
| 國際公布 | WO99.7018 德 1999.2.11 | 進入國家日期 | 2000.01.24 |
| 專利代理機構 | 柳沈知識產權律師事務所 | 代理人 | 侯宇 |
| 摘要 | 一種以碳化硅材料為基材并具有多個不同電氣特性的分區的半導體結構。該SiC半導體結構（2）至少包含三個半導體區（G1至G3），其中第三半導體（G3）的表面包圍第二半導體區（G2）的表面，即第二分型面（F2），而第二半導體區（G2）表面又包圍第一半導體區（G1）的表面，即第一分型面（ F1)。根據本發明，第二分型面（F2）的邊部（R2）的輪廓由第一分型面（F1）的邊部（R1）的輪廓所決定，兩者的關系是：第二分型面（F2）基本上是第一分型面（F1 ）的特殊擴展圖像，其中第二分型面（F2）的邊部（R2）的輪廓與該擴展圖像的精確輪廓（Re）的偏差（△a）最大為±10nm。 | ||
豫公網安備41019702003646號