名稱 | 碳化硅激光器 | ||
公開號(hào) | 1304195 | 公開日 | 2001.07.18 |
主分類號(hào) | H01S3/16 | 分類號(hào) | H01S3/16 |
申請(qǐng)?zhí)?/strong> | 99120120.5 | ||
分案原申請(qǐng)?zhí)?/strong> | 申請(qǐng)日 | 1999.12.13 | |
頒證日 | 優(yōu)先權(quán) | ||
申請(qǐng)人 | 張洪濤 | 地址 | 430074湖北省湖北工學(xué)院電氣工程與計(jì)算機(jī)科學(xué)系 |
發(fā)明人 | 張洪濤 | 國(guó)際申請(qǐng) | |
國(guó)際公布 | 進(jìn)入國(guó)家日期 | ||
專利代理機(jī)構(gòu) | 代理人 | ||
摘要 | 碳化硅(SiC)粉體激光器是一種單頻、強(qiáng)度連續(xù)可調(diào)的新型激光器。它需要激光來泵浦,并且隨泵浦激光的頻率不同,碳化硅(SiC)粉體出射的激光頻率也不同。碳化硅(SiC)粉體出射的激光為空間全方位的。碳化硅(SiC)粉體的平均粒徑從微米級(jí)到納米級(jí)均可,或納米到微米級(jí)的混合體。SiC的顆粒形狀可為球狀、不規(guī)則狀或纖維狀、晶須等形狀。產(chǎn)生激光的碳化硅(SiC)粉體要求一定的厚度和面積,一般為面積不小于50μm#+[2],厚度大于0.5μm。 |