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碳化硅激光器

關(guān)鍵詞 碳化硅激光器 |2010-12-23 00:00:00|行業(yè)專利|來源 中國(guó)超硬材料網(wǎng)
摘要 名稱碳化硅激光器公開號(hào)1304195公開日2001.07.18主分類號(hào)H01S3/16

 

名稱 碳化硅激光器 
公開號(hào) 1304195  公開日 2001.07.18   
主分類號(hào) H01S3/16  分類號(hào) H01S3/16 
申請(qǐng)?zhí)?/strong> 99120120.5 
分案原申請(qǐng)?zhí)?/strong>   申請(qǐng)日 1999.12.13   
頒證日   優(yōu)先權(quán)  
申請(qǐng)人 張洪濤  地址 430074湖北省湖北工學(xué)院電氣工程與計(jì)算機(jī)科學(xué)系 
發(fā)明人 張洪濤  國(guó)際申請(qǐng)  
國(guó)際公布   進(jìn)入國(guó)家日期  
專利代理機(jī)構(gòu)   代理人  
摘要   碳化硅(SiC)粉體激光器是一種單頻、強(qiáng)度連續(xù)可調(diào)的新型激光器。它需要激光來泵浦,并且隨泵浦激光的頻率不同,碳化硅(SiC)粉體出射的激光頻率也不同。碳化硅(SiC)粉體出射的激光為空間全方位的。碳化硅(SiC)粉體的平均粒徑從微米級(jí)到納米級(jí)均可,或納米到微米級(jí)的混合體。SiC的顆粒形狀可為球狀、不規(guī)則狀或纖維狀、晶須等形狀。產(chǎn)生激光的碳化硅(SiC)粉體要求一定的厚度和面積,一般為面積不小于50μm#+[2],厚度大于0.5μm。 
 

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