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通過化學汽相淀積生產碳化硅的方法和裝置

關鍵詞化學汽相淀積 , 碳化硅 , 裝置 |2010-12-23 00:00:00|行業專利|來源中國超硬材料網

摘要名稱通過化學汽相淀積生產碳化硅的方法和裝置公開號1166540公開日1997.12.03主分類號C30B25/00&

名稱	通過化學汽相淀積生產碳化硅的方法和裝置
公開號	1166540	公開日	1997.12.03
主分類號	C30B25/00	分類號	C30B25/00;C30B29/36
申請號	97102232.1
分案原申請號		申請日	1997.01.10
頒證日		優先權	[32]1996.1.30[33]DE[31]19603323.3
申請人	西門子公司	地址	聯邦德國慕尼黑
發明人	羅蘭·魯普; 約翰尼斯·韋爾克	國際申請
國際公布		進入國家日期
專利代理機構	柳沈知識產權律師事務所	代理人	楊梧
摘要	一種提高氣體利用率的通過ＣＶＤ生產ＳｉＣ的方法和裝置，其中，產生一股過程氣流（２），在基底（４）上通過ＣＶＤ從過程氣流（２）中離析出ＳｉＣ。此外還產生由一種惰性氣體組成的第二股氣流（３），它沿流動方向完全包圍過程氣流（２）。由此獲得過程氣體的高的產出率。

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