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碳化硅中形成藍光發射二極管

關鍵詞碳化硅 , 藍光發射二極管 |2010-12-22 00:00:00|行業專利|來源中國超硬材料網

摘要名稱碳化硅中形成藍光發射二極管公開號1044549公開日1990.08.08主分類號H01L33/00

名稱	碳化硅中形成藍光發射二極管
公開號	1044549	公開日	1990.08.08
主分類號	H01L33/00	分類號	H01L33/00
申請號	89109795.3
分案原申請號		申請日	1989.12.14
頒證日		優先權	[32]1988.12.14[33]US[31]284,293;[32]1989.8.28[33]U
申請人	克里研究公司	地址	美國北卡羅來納州
發明人	約翰·Ａ·埃德蒙	國際申請
國際公布		進入國家日期
專利代理機構	中國國際貿易促進委員會專利代理部	代理人	付康
摘要	本發明包含有在碳化硅中形成的發光二極管，它發射介于約４６５至４７０ｎｍ，或介于約４５５至４６０ｎｍ，或介于約４２４至４２８ｎｍ波長的可見光。該二極管包含具有第一導電型的α型碳化硅的基片和在具有相同導電型的用作為基片的在基片上的α型碳化硅的第一外延層。一個在第一外延層上的α 型碳化硅的第二外延層，具有與第一層相比相對高的導電型，并與第一外延層形成一個Ｐ－N結。

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