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AKHAN發布了涉及金剛石半導體材料制備的日本專利

創始人兼首席執行官亞當·汗(AdamKhan)表示:“此次專利發布保護了我們在金剛石研究領域全球領先地位和技術所有權益。他表示:“在今年發布的臺灣金剛石半導體專利以及美...

日期 2017-11-17   
日本宣布常閉型金剛石半導體試制成功

日本宣布常閉型金剛石半導體試制成功

日本金澤大學2016年8月19日宣布,通過與產業技術綜合研究所、電裝等的共同研究,制作出了采用金剛石半導體的反轉...

日期 2016-08-26   
世界首例金剛石半導體真空電力開關

世界首例金剛石半導體真空電力開關

由日本科技廳(JST)主持領導的一項研究,近日宣布來自國家先進工業科技研究所(AIST)和國立材料研究(NIMS...

日期 2013-08-13   

采用可調整的金剛石半導體發射極的場致發射電子器件

名稱采用可調整的金剛石半導體發射極的場致發射電子器件公開號1069825公開日1993.03.10主分類號H01J1

日期 2010-12-09   

日本大阪大學與產綜研利用金剛石半導體制作出SBD

2010年9月14~17日于長崎大學舉行的第71屆應用物理學會學術演講會上,日本大阪大學與產業技術綜合研究所宣布,采用金剛石半導體制作出肖特基勢壘二極管(SBD),調查...

日期 1970-01-01   

大阪大學利用金剛石半導體制出SBD

在2010年9月14~17日于長崎大學舉行的第71屆應用物理學會學術演講會上,日本大阪大學與產業技術綜合研究所宣布,采用金剛石半導體制作出肖特基勢壘二極管(SBD),調...

日期 2010-09-29   

法國導電性能極強的金剛石半導體面世

法國國家科研中心固體物理和結晶實驗室的科學家,最近研制出一種比普通金剛石半導體導電性能高出近1萬倍的新型金剛石半導體,為電子元器件的開發提供了新材料。金剛石由碳原子構成...

日期 2006-07-12   
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