法國國家科研中心固體物理和結晶實驗室的科學家，最近研制出一種比普通金剛石半導體導電性能高出近1萬倍的新型金剛石半導體，為電子元器件的開發提供了新材料。
　　
　　金剛石由碳原子構成，一般不導電，純凈的金剛石其實是良好的絕緣體。但是，如果在金剛石中摻入少量的硼或者氮，它就會變成半導體。由于金剛石半導體體積小、耐高溫， 因此它在電子或光電子元器件制造方面具有得天獨厚的優勢。然而由于人們難以制造出具有更高導電性能的金剛石半導體，所以進一步發展微電子元器件制造技術便遇到了瓶頸。
　　
　　據英國《自然》雜志的最新一期《物質》專刊報道，法國國家科研中心固體物理和結晶實驗室的科學家認為，傳統技術制造的金剛石半導體的導電性能不理想，應該嘗試向金剛石半導體中加入新元素，改變這種材料的部分碳結構，以提高金剛石半導體的導電性。按照這一思路，研究人員將氫元素加入含有硼的P型金剛石半導體中，結果發現，被研究材料轉化成了一種N型金剛石半導體，其導電性比過去用傳統方法制造的金剛石半導體高出近1萬倍。
　　
　　用金剛石半導體膜制作的芯片能在幾百攝氏度的高溫下正常工作，而硅芯片的工作溫度不能超過150攝氏度。此外，金剛石電子元器件的體積可以更小，它能夠在硅電子產品無法應用的場合發揮不可替代的作用。《物質》專刊評價說，法國科學家的研究成果將對微電子領域產生直接影響，并為半導體的基礎和應用研究提供一片新天地。