近年來(lái)，全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)競(jìng)爭(zhēng)日益激烈，尤其是圍繞寬帶隙和超寬帶隙半導(dǎo)體的技術(shù)創(chuàng)新，已經(jīng)成為各國(guó)科技戰(zhàn)略的關(guān)鍵焦點(diǎn)。此前我國(guó)對(duì)關(guān)鍵材料進(jìn)行出口管制讓很多國(guó)家開(kāi)始調(diào)整戰(zhàn)略。

       據(jù)Tom's hardware報(bào)道，由于中國(guó)在寬帶隙半導(dǎo)體材料—氮化鎵（GaN）供應(yīng)方面的優(yōu)勢(shì)地位，近期又采取了出口管制措施，美國(guó)國(guó)防部高級(jí)研究計(jì)劃局（DARPA）已采取行動(dòng)，委托雷神（Raytheon）公司開(kāi)發(fā)基于人造金剛石和氮化鋁（AlN）的超寬帶隙半導(dǎo)體，以確保美國(guó)的軍事裝備生產(chǎn)。

       Raytheon的目標(biāo)是引領(lǐng)這些材料發(fā)展到針對(duì)當(dāng)前和下一代雷達(dá)和通信系統(tǒng)優(yōu)化的設(shè)備中，例如射頻開(kāi)關(guān)、限幅器和功率放大器，以增強(qiáng)其功能和范圍。這包括在協(xié)同傳感、電子戰(zhàn)、定向能以及集成到高超音速等高速武器系統(tǒng)中的應(yīng)用。

       人造金剛石憑借5.5eV的超寬帶隙，其高頻性能、高電子遷移率、極端熱管理能力和更高功率處理能力均超越了氮化鎵，成為潛在的理想替代材料。而氮化鋁的帶隙更是高達(dá)6.2eV，進(jìn)一步提升了其在高功率、高頻應(yīng)用中的優(yōu)勢(shì)。

       根據(jù)DARPA的合同要求，雷神公司的先進(jìn)技術(shù)團(tuán)隊(duì)將分階段推進(jìn)這一項(xiàng)目。在第一階段，團(tuán)隊(duì)將專(zhuān)注于開(kāi)發(fā)基于金剛石和氮化鋁的半導(dǎo)體薄膜，為后續(xù)的應(yīng)用打下堅(jiān)實(shí)基礎(chǔ)。第二階段則將致力于研發(fā)和改進(jìn)金剛石和氮化鋁技術(shù)，以支持更大直徑的晶圓生產(chǎn)，特別是針對(duì)傳感器應(yīng)用的需求。這兩個(gè)階段的工作必須在三年內(nèi)完成，凸顯了項(xiàng)目的緊迫性和重要性。

       Raytheon 先進(jìn)技術(shù)總裁Colin Whelan說(shuō)：“Raytheon 在為國(guó)防部系統(tǒng)開(kāi)發(fā)類(lèi)似材料（如砷化鎵和氮化鎵）方面擁有豐富的成熟經(jīng)驗(yàn)。通過(guò)將這一開(kāi)創(chuàng)性的歷史和我們?cè)谙冗M(jìn)微電子方面的專(zhuān)業(yè)知識(shí)相結(jié)合，我們將努力使這些材料成熟起來(lái)，將再次徹底改變半導(dǎo)體技術(shù)，迎接未來(lái)的應(yīng)用。”