近日，中科院微電子研究所高頻高壓中心劉新宇研究員團隊與日本東京大學鹽見淳一郎團隊合作，在氮化鎵（GaN）—金剛石晶圓鍵合技術領域取得了新進展。
       中科院微電子研究所消息稱，該項研究創新地使用了表面活化鍵合法（SAB），以納米非晶硅為介質在室溫下達成了氮化鎵—金剛石鍵合，系統揭示了退火中鍵合結構的界面行為及其影響熱導和熱應力的機理，發現了納米非晶硅層在退火中再結晶從而降低界面熱阻的現象，展現了該鍵合技術在熱導、熱應力控制及可靠性方面的明顯優勢。

       研究發現，雖然較薄納米非晶硅層在室溫鍵合后有較低熱阻，但由于高溫退火對非晶層的消除，以及不同厚度非晶硅層在元素偏聚、結晶度和內應力上的差異，高溫退火后，較厚的非晶硅層反而具有更低的熱阻。此外，拉曼光譜檢測顯示，退火前后金剛石襯底上GaN層的熱應力分別低于30 MPa及230 MPa。
       研究以《A Novel Strategy for GaN-on-Diamond Device with a High Thermal Boundary Conductance》為題發表在《Journal of Alloys and Compounds》。研究得到國家自然科學基金重大儀器項目/重點項目等資助。