近日，瑞典林雪平大學（LiU）的一個研究團隊利用碳化硅襯底，在石墨烯表面上介入缺陷，從而增大了材料存儲電荷的容量。研究結果發表在期刊Electrochimica Acta上。
       石墨烯作為最薄的材料物質，由單層碳原子構成，其網狀結構的厚度僅有一個原子的厚度，且屬性獨特。石墨烯的強度是鋼的200多倍，且柔性極好。透明度高且針對氣體和液體的防滲性好。此外，石墨烯還是優良的電導體。在諸多納米材料的研究和應用中，石墨烯都是炙手可熱的寵兒。
       “石墨烯的屬性雖然頗具吸引力，但其研究則較為困難”，瑞典林雪平大學物理化學生物系和科技部的首席研究工程師Mikhail Vagin說。對石墨烯屬性的理解難點就在于對石墨烯的“各向異性”材料屬性的理解。在碳原子層的平面和邊緣對石墨烯屬性進行測量的結果是不同的。由于石墨烯形式的多樣化，在原子層面對石墨烯進行研究也是比較困難的。而多邊緣片狀石墨烯的屬性和1平方厘米左右的薄片狀石墨烯的屬性又有所不同。

       工作人員在碳化硅晶體上制備出石墨烯。首先將碳化硅加熱至2000℃，表面的硅原子開始向汽相轉化，僅剩下碳原子。由于石墨烯層的高品質屬性及其固有的惰性，石墨烯不會輕易與周圍環境條件發生反應；而一般的應用研究通常采用控制性交互作用的方法使材料與周圍環境條件發生反應，如氣體分子。為此，LiU團隊以可控方式引入表面缺陷并對其發生的現象進行研究，并據此理解石墨烯屬性與其結構的相關性。
       首席工程師Mikael Syväjärvi說：碳化硅襯底的石墨烯可以比其它類型的石墨烯制備的面積更大一點；通過有控制地改變其屬性，可以定制出特定功能的材料表面，如內置電池的傳感器。