11月7日，在2014國際光伏產業技術與標準發展論壇上，保利協鑫能源控股有限公司長晶事業部技術總監游達進行了“太陽能級多晶硅片的發展前景與展望”主題演講。他認為，目前地面電站已經以多晶為主，但大家一直比較多晶和單晶誰會是主流沒有意義。

　　以下是文字實錄：

　　游達：各位來賓，各位領導，大家下午好。很榮幸在這里給大家講講協鑫近一年來對多晶產業鏈的發展以及未來趨勢的看法給大家做一個分享。協鑫在產業鏈里面多晶產能已經到了將近13GW，明年可能會到15GW，在這么大產能的壓力之下，我們要保證自己在市場上有一定的競爭力，確保自己的市場份額這是一個非常不容易的事情。

　　最近在行業里面討論最多的，就是在未來三年里面，單晶和多晶份額到底會有什么樣的變化？從協鑫來看，我們依然看好自己的多晶。另外從發電量數據來看目前地面電站已經以多晶為主，但是在分布式上面未來多晶和單晶誰更有優勢的話，今天我就先做一個拋磚引玉，大家共同來研究這個話題。

　　鑄錠多晶硅現狀及展望，這個報告分五個部分。首先把有光伏以來最好的電池效率回顧一下。然后對全球光伏市場份額做一個簡單討論。第三是把鑄錠多晶硅技術發展趨勢做一個介紹。最后把鑄錠N型準單晶技術做一個介紹。這個行業不管電池也好，組件也好，最終還是要靠發電量如何。

　　這張圖它一直在跟著這個行業的趨勢誕生以來每年的效率最高紀錄值都有一個明顯的進步。到2014年的時候，幾乎所有的電子技術，無論是薄膜，還是單晶，還是晶硅實驗室效率基本都到了20%左右，如果更好的電池工藝，晶硅基本可以做到25-26%的水平，當然這僅限于實驗室的效率。

　　隨著技術的發展，它可能會放緩，但是在未來也許會有新的技術誕生，相信還會向上走。

　　全球光伏市場份額跟效率發展也是呈對應的關系，在過去四年里面，從2010年開始整個多晶和單晶比例在發生微小的變化。綠色面是普通晶硅產品，2012年后，高位多晶的產品出來之后逐步替代了這個市場，我們看到在N型單晶市場上也在逐年的提升市場份額，所以我們認為從整個2014年來看，常規太陽能電池硅片的組件產量會占到將近89%的市場份額。薄膜組件將占接近8%。

　　我們再主要回歸到晶硅這個體系，看看多晶和單晶給出市場預測。從2010年開始預測到2017年，基本上多晶組件產出量依然保持70%左右，到2017年，單晶份額可能會從30%上升到35%。

　　多晶在2012年在行業里面大部分都是G5，在2013年的時候G6所占市場份額比例越來越大，從G5到G6產能的提升非常明顯可以從6.9%提升到10.3%。2014年多晶鑄錠爐型來說慢慢從G5到G6到G7。協鑫會把將近10的爐子改成G7，明年會把G7份額和比例繼續提高。

　　大家一直所多晶和單晶一直在比誰會是主流，我覺得這個沒有意義。那我們就來看看多晶到底未來會做什么事情。這里給出單晶和多晶關于效率分布的計算。這里以組件輸出功率的相對值來做一個對比。

　　在組件段有了面積差能，在風能面積上多晶面積多了1.8%的面積輸出，光衰單晶給到2-2.5%的變化，多晶給到1%左右，如果單晶持有扣除面積損失、封裝損失、光衰的話，最終的組件效率是18.25%左右。我們認為如果目前單晶結構和電池工藝不朝著像20%的效率去轉，在目前組件段，它的效率輸出是不如多晶的效率。

　　N型的單晶硅片從潛力上來講是未來的方向。但是我們也發現N型雖然潛力很高，但是目前硅片尺寸還是以6寸為主，電池成本過高，所以在未來我們做鑄錠，希望用鑄錠工藝做成N型類單晶的硅片。

　　提到成本和效率，又回到多晶目前的發展瓶頸，很多人說單晶成本下降很快多晶未來發展的勢頭會差一點，我也把自己的思路理了一下，總結以下四點討論這個問題。

　　第一點，我們不得不承認目前所有高效的電池工藝都是基于單晶，多晶電池工藝并不是很多，研究也比較少。

　　第二點，金剛線切割帶來的表面制絨工藝的突破，這個瓶頸如果突破的話，多晶切片金剛線切割就會大規模生產，推向市場。

　　第三點是類單晶的技術突破，中間一類片的效率分布廣，另外外觀接受度有問題，二、三類片的效率需要進一步提升。

　　第四點，硅片下降的成本空間也受到了客觀條件的約束，前面講到金剛線在多晶切割方面沒有大規模的導入，所以也導致用于這種切割工藝的產量產能沒有辦法大規模生產。再有就是裝料量，把裝料量從1.2噸提高到1.6噸，它不是技術問題，而是安全方面的問題。

　　大家也知道作為單晶而言，傳統方法就是直拉，德拉單晶棒及它的優點很明顯，絕緣密度很低，效率高，缺點是投料少，操作復雜，成本高。如果用鑄錠方法從某種意義上來看，投料量確實做得很大，G6確實沒有問題，操作簡單，成本低，但是技術難度比較大。

　　這里我給出了一個最新的研究結果探討這個技術，這是今年在太陽能材料和電池雜志上發表的一篇最新報道，采用N型類單晶硅片做了HIT電池工藝。如果在鑄錠區域中間部分的硅片，它做得HIT即使在這樣一個鑄錠環境下做的硅片，中間轉換區域可以做到21.5%，但對我們來講依然有很大的挑戰。第一，籽晶，使用特定晶向的單晶，成本高于正常硅料。第三是效率的進一步提升，主要解決效率分布問題。第三是單晶區域在整個晶體中的比例提升，目標實現80%左右單晶硅片產出比例。

　　最后講一下鑄錠多晶發電量的研究。首先是溫度系數的影響，在戶外它不是標準的環境溫度，也不是標準的輻照度。這是我在網上找的一篇德國學者做的一個多晶組件測試，得到的溫度是-0.42，這個溫度跟我們常規理解還是比較接近的。

　　接下來看看溫度系數的對比，這個我也是找了德國文章數據，坦白說德國在過去幾年時間里，裝機應用依然走在世界前列，同時積累了很多系統運行的數據。從這個數據可以看到HIT結構溫度系數在所有晶硅里面是最好的，從薄膜來看，薄膜實際測試和模擬中溫度測試還是比較低的。傳統的無論是單晶硅，多晶硅，溫度在戶外基本上都是負0.4-0.5波動。如果未來我們要研究這么一個測試的條件，如何把組件溫度系數測準對我們來說是一個挑戰。

　　現在大家說在同樣瓦數組件上面，同樣的輻照下，單晶比多晶的溫度低5-6度，為什么會發生這樣的變化，值得我們去探討。

　　最終多晶組言系統未來研究的重點有以下幾個方面。

　　第一，各種高效硅片工藝以及高效電池結構導致的組件效率提升對最終系統發電量的影響，我想我們未來要關注這個方向的研究。

　　第二，多晶組件的光衰變化的趨勢與解決方案。

　　第三，鑄造單晶組件系統發電量的研究。

　　第四，多晶組件在弱光條件下的發電量的研究。剩下幾個我就不多講了，今天報道就分享到這里，謝謝大家。