申請號：201620008459.0
　　申請人：濟南中烏新材料有限公司 山東貝斯特環境技術有限公司
　　發明人：王篤福 王盛林 王希江 潘子明 王希瑋 徐昌

　　摘要：一種金剛石單晶人工生長裝置，包括導電片、導電石墨環、耐火保溫套、石墨管、絕緣槽和導電石墨片，導電石墨片和絕緣槽設置在石墨管內，導電石墨片與絕緣槽形成金剛石單晶生長的封閉空間，石墨管的外側設置有耐火保溫套及端蓋，端蓋內設置有導電石墨環，端蓋的外側設置有導電片，導電石墨環的兩端分別與石墨管和導電片接觸。該裝置結構簡單，密封性好，封閉空間內裝有石墨塊和金屬觸媒塊，采用高溫高壓條件，通過HPHT（高溫高壓），利用溫度梯度法能夠生長出粒徑大于10mm的大顆粒金剛石單晶體或具有半導體性質的Ⅱb型的金剛石單晶。 　　主權利要求：1.一種金剛石單晶人工生長裝置，包括導電片、導電石墨環、耐火保溫套、石墨管、絕緣槽和導電石墨片；其特征是：導電石墨片和絕緣槽設置在石墨管內，導電石墨片設置在絕緣槽的開口處，兩者形成金剛石單晶生長的封閉空間，石墨管的外側設置有耐火保溫套，石墨管的上端和下端均設置有端蓋，端蓋內設置有導電石墨環，端蓋的外側設置有導電片，導電石墨環的兩端分別與石墨管和導電片接觸。
　　2.根據權利要求1所述金剛石單晶人工生長裝置，其特征是：所述耐火保溫套是在葉臘石塊內套裝白云石環而成。