申請號：201510262128.X
　　申請人：中國電子科技集團公司第十三研究所
　　發明人：王晶晶 馮志紅 何澤召

　　摘要：本發明公開了一種三維結構的氫終端金剛石場效應晶體管生物傳感器及其制備方法，涉及半導體器件的制作方法技術領域。所述傳感器包括金剛石基片，所述金剛石基片的上、下表面形成有氫端基金剛石層，每層氫端基金剛石層上形成有漏電極和源電極，所述漏電極和源電極之間的氫端基金剛石層上形成有捕獲層，所述捕獲層上形成有柵電極。所述傳感器具有高效率、高靈敏度、分析速度快、體積小、試樣用量少，成本低、易于大批量制備的優點。 　　主權利要求：1.一種三維結構的氫終端金剛石場效應晶體管生物傳感器，其特征在于：所述傳感器包括金剛石基片（1），所述金剛石基片（1）的上、下表面形成有氫端基金剛石層（2），每層氫端基金剛石層（2）上形成有漏電極（3）和源電極（4），所述漏電極（3）和源電極（4）之間的氫端基金剛石層（2）上形成有捕獲層（5），所述捕獲層（5）上形成有柵電極（6）。
　　2.根據權利要求1所述的三維結構的氫終端金剛石場效應晶體管生物傳感器，其特征在于：所述漏電極（3）和源電極（4）的制作材料為Au、Ti、Pt、Ag、Cr、Cu中的一種或幾種。
　　3.根據權利要求1所述的三維結構的氫終端金剛石場效應晶體管生物傳感器，其特征在于：所述捕獲層（5）的制作材料為金屬、金屬的氧化物或金屬的氮化物。
　　4.根據權利要求1所述的三維結構的氫終端金剛石場效應晶體管生物傳感器，其特征在于：所述捕獲層（5）的制作材料為Au，Ti，Pt，Ag，Cr，Cu中的一種或幾種。
　　5.根據權利要求1所述的三維結構的氫終端金剛石場效應晶體管生物傳感器，其特征在于：所述捕獲層（5）的制作材料為Al2O3，NiOx，SnOx，TiOx、W2O5、ZrO或ZnOLangmuir-Blodegett 膜。
　　6.根據權利要求1所述的三維結構的氫終端金剛石場效應晶體管生物傳感器，其特征在于：所述柵電極（6）的制作材料為Al，Ni，Sn，Ti，W，Ag中的一種或幾種。
　　7.一種三維結構的氫終端金剛石場效應晶體管生物傳感器制作方法，其特征在于包括如下步驟： 1）在金剛石基片（1）的上下表面制備氫端基金剛石層（2）； 2）分別在氫端基金剛石層（2）表面制作源電極（4）和漏電極（3）； 3）在源電極（4）與漏電極（3）間的氫端基金剛石層（2）上沉積捕獲層（5）； 4）在捕獲層（5）上制作柵電極（6）。
　　8.根據權利要求7所述的三維結構的氫終端金剛石場效應晶體管生物傳感器制作方法，其特征在于：所述步驟1）中通過氫等離子體處理、直流電弧、高溫退火或高溫高壓方法在金剛石表面制作氫端基金剛石層（2）。
　　9.根據權利要求7所述的三維結構的氫終端金剛石場效應晶體管生物傳感器制作方法，其特征在于：所述漏電極（3）和源電極（4）的制作材料為Au、Ti、Pt、Ag、Cr、Cu中的一種或幾種；所述柵電極的制作材料為Al，Ni，Sn，Ti，W，Ag中的一種或幾種。
　　10.根據權利要求7所述的三維結構的氫終端金剛石場效應晶體管生物傳感器制作方法，其特征在于：所述捕獲層（5）的制作材料為金屬、金屬的氧化物或金屬的氮化物。