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 一種用于沉積制備金剛石的反應器

一種用于沉積制備金剛石的反應器

申請號:一種用于沉積制備金剛石的反應器申請日:201720500248.3申請人:2017.04.26發明人:許...

日期 2018-01-29   
一種沉積制備金剛石的方法

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申請號:201710327863.3申請人:金華職業技術學院發明人:趙永建張向平許楊文

日期 2017-08-23   
一種用于沉積制備金剛石的反應器

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申請號:201710321049.0申請人:金華職業技術學院發明人:趙永建張向平許楊文

日期 2017-08-16   
利用化學氣相沉積制備單層金剛石磨料工具的方法

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申請號:201710072261.8申請人:上海交通大學上海交友鉆石涂層有限公司發明人:孫方宏申笑天王新昶郭松壽...

日期 2017-07-19   

不同襯底溫度下脈沖激光沉積制備a-SiC薄膜的結構和光學特性

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引言納米結構碳化硅的機械強度高、硬度高、化學惰性好,比傳統碳化硅材料要優越許多。因此常用于硅基微機電系統(MEMS),壓力傳感器、核聚變裝置等設備中。納米碳化硅的發光效...

日期 2015-02-10   

化學氣相沉積制備硅摻雜微納復合金剛石薄膜的方法

申請號:201410005272申請人:上海交通大學上海交友鉆石涂層有限公司蘇州交鉆納米超硬薄膜有限公司摘要:本發明公開了一種化學氣相沉積制備硅摻雜微納復合金剛石薄膜的...

日期 2014-05-23   

多元摻雜熱絲化學氣相沉積制備金剛石薄膜的方法

專利號:201210085095申請人:上海交通大學;上海交友鉆石涂層有限公司技術簡要說明:本發明公開了一種多元摻雜熱絲化學氣相沉積制備金剛石薄膜的方法

日期 2012-08-03   

回旋電子增強熱絲化學氣相沉積制備金剛石薄膜的方法

名稱回旋電子增強熱絲化學氣相沉積制備金剛石薄膜的方法公開號1355330公開日2002.06.26主分類號C23C1

日期 2010-12-21   

熱陰極輝光等離子體化學相沉積制備金剛石膜的工藝

名稱熱陰極輝光等離子體化學相沉積制備金剛石膜的工藝公開號1107900公開日1995.09.06主分類號C23C16

日期 2010-12-10   
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