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羅姆:碳化硅產品開發先行一步

關鍵詞 碳化硅 , 開發|2010-11-12 00:00:00|來源 中國電子報
摘要 憑借被稱為“超常思維”的創新理念,日本ROHM(羅姆)在元器件領域的革新總會給業界帶來新的驚喜。在日本CEATEC展會羅姆的展臺上,羅姆展示的IC、分立半導...

   憑借被稱為“超常思維”的創新理念,日本ROHM(羅姆)在元器件領域的革新總會給業界帶來新的驚喜。在日本CEATEC展會羅姆的展臺上,羅姆展示的IC、分立半導體、光學半導體、電子部件、模塊等廣泛產品線體現了非常多的創新。
  
  碳化硅產品實現性能提升
  
  在羅姆展示的產品中最為搶眼的無疑是低功耗肖特基勢壘二極管(SBD)“SCS110A系列”、MOSFET以及IPM(智能功率模塊)。它們采用了SiC(碳化硅)材料,SiC因低功耗、高耐壓等特性有望成為下一代功率元件材料。羅姆半導體(上海)有限公司管理部宣傳企劃課經理植田耕史介紹,與傳統硅材料相比,SiC材料的優勢主要表現在兩方面:一是導通電阻低,約是硅的1/5,二是在250攝氏度的高溫環境下也可正常工作,因此可以廣泛應用于電動汽車/混合動力車中進行電源轉換的變壓器、轉換器、PFC電路(功率因數校正電路)以及太陽能發電等其他領域。而羅姆的SiC-SBD與其他公司相比,在正向電壓和動作時阻抗等性能上實現了較大的提升。
  
  植田耕史還告訴記者,羅姆去年收購了SiC晶圓供應商——德國的SiCrystal公司,SiC的前期和后期工序分別由羅姆日本和泰國的分公司來做,這樣,羅姆確立了SiC器件一條龍的生產體系。羅姆將SiC元件技術視為下一代半導體業務的核心技術之一,今后將繼續推進SBD耐壓特性,并強化大電流產品陣容。此外,羅姆還將強化功率器件領域,加快MOSFET和IPM等SiC相關產品的量產步伐。
  
  LED產品實現最小最薄
  
  羅姆自1973年以來開始生產和銷售LED,在超小型LED方面一直領先世界。此次羅姆展示了世界上最小、最薄的貼片LEDPICOLED-mini系列。它通過羅姆獨特的高亮度元件技術和超精密加工技術,實現了LED貼片以及封裝的超小型、超薄型化,將安裝面積減少了70%。
  
   除超小型貼片LED的PICOLED-mini系列外,羅姆還展示了用于LED照明的1W和3W高功率LED“SSML系列”以及用于電視機背光的中功率LED“PSML系列”產品。植田耕史介紹,1W的樣品已經推出,3W的產品正在開發,將在不久后推出。
  
  此外,羅姆還拓展多元化市場,推出了該公司第一款LED照明產品。此產品采用立體設計技術,已申請專利。羅姆株式會社中國營業本部葛天依介紹,其優點主要有三:一是光照度廣,一般的照明產品光擴散的角度是140度,而羅姆的產品能達到220度;二是更節能,6W燈泡亮度與普通的80W日光燈相當;三是壽命更長,可達4萬個小時。目前全球只有羅姆和歐司朗開發了這類產品,其平均售價大約為3000日元。
  
  而羅姆還展示了適用于手機和數碼相機等設備、進行無接觸動作檢測的單芯片光學式接近/照度傳感器IC“BH1771GLC”。葛天依還告訴記者,針對日本在3D電視走在前列的現狀,羅姆還開發了應用于3D眼鏡的驅動IC。

 

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