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鄭州華晶金剛石股份有限公司

培育鉆石半導(dǎo)體,引領(lǐng)節(jié)能降耗大趨勢(shì)!

關(guān)鍵詞 培育鉆石|2023-08-30 11:01:05|來(lái)源 Carbontech
摘要 隨著數(shù)字時(shí)代的不斷發(fā)展,中國(guó)"3060碳戰(zhàn)略"目標(biāo)的確立,綠色低碳成為我國(guó)各行業(yè)發(fā)展主要導(dǎo)向,其中,高效能半導(dǎo)體器件發(fā)展應(yīng)用成為推動(dòng)汽車電子、電子信息、大數(shù)據(jù)中...

       隨著數(shù)字時(shí)代的不斷發(fā)展,中國(guó)"3060碳戰(zhàn)略"目標(biāo)的確立,綠色低碳成為我國(guó)各行業(yè)發(fā)展主要導(dǎo)向,其中,高效能半導(dǎo)體器件發(fā)展應(yīng)用成為推動(dòng)汽車電子、電子信息、大數(shù)據(jù)中心等領(lǐng)域節(jié)能降耗的重要趨勢(shì)。

       從硅、鍺為代表的傳統(tǒng)半導(dǎo)體材料到現(xiàn)在以氮化鎵、碳化硅為代表的第三代半導(dǎo)體材料,再到以培育鉆石、氧化鎵為代表的超寬禁帶半導(dǎo)體材料,支撐半導(dǎo)體器件的性能不斷提升,促進(jìn)射頻通信、高功率器件、照明器件等方面革新發(fā)展。超寬禁帶半導(dǎo)體培育鉆石功率電子學(xué)將有可能成為下一代固態(tài)功率電子學(xué)的代表,受到研究人員的廣泛關(guān)注。

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       培育鉆石是一種具有多種特異性能的功能材料,它具有硬度高、導(dǎo)熱性能好、熱膨脹系數(shù)小、光學(xué)性能優(yōu)異、從紫外到紅外波段范圍具有光學(xué)透明性等性能。除此之外,培育鉆石還具有優(yōu)異的電學(xué)性能:具有大的禁帶寬度,載流子遷移率高、介電常數(shù)小、擊穿電場(chǎng)比Si和GaAs高二個(gè)數(shù)量級(jí),而標(biāo)志大功率和高速開關(guān)性能的Johnson和Keyse指數(shù)均高于Si和GaAs,因此其應(yīng)用前景廣闊。 

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       培育鉆石憑借優(yōu)異的電學(xué)性質(zhì)在微電子機(jī)械系統(tǒng)、聲學(xué)器件、半導(dǎo)體器件、功率器件、探測(cè)器、生物醫(yī)療、量子計(jì)算通訊等領(lǐng)域的應(yīng)用日益受到學(xué)術(shù)界和產(chǎn)業(yè)界的關(guān)注,具有廣闊的應(yīng)用前景,其在科技領(lǐng)域的地位與重要性與日俱增,將成為更高性能的科研利器。

       微波等離子體化學(xué)氣相沉積(MPCVD)技術(shù)在制備高質(zhì)量半導(dǎo)體培育鉆石材料方面具有獨(dú)特優(yōu)勢(shì),MPCVD技術(shù)制備半導(dǎo)體培育鉆石材料具有高速率生長(zhǎng)、大尺寸生長(zhǎng)、高質(zhì)量生長(zhǎng)以及電學(xué)摻雜等特點(diǎn)。由于CVD法合成培育鉆石打破了設(shè)備對(duì)襯底尺寸的限制,為大面積單晶培育鉆石生長(zhǎng)提供條件,CVD法成為高純度、大面積的首選方案。目前,常用的CVD法合成單晶培育鉆石,主要包括微波等離子體CVD法(MPCVD)、熱絲CVD法、火焰燃燒CVD法和直流弧光等離子CVD法等。

       微波等離子體化學(xué)氣相沉積(MPCVD)單晶培育鉆石生長(zhǎng)技術(shù)一般采用金屬作腔體,由于其微波能量無(wú)污染、氣體原料純凈、沒有催化劑和雜質(zhì)的摻入等優(yōu)勢(shì),使得金剛石的質(zhì)量得到改善,在眾多培育鉆石制備方法中脫穎而出,成為制備大尺寸、高品質(zhì)單晶培育鉆石最有發(fā)展前景的技術(shù)之一,這也大大拓展了培育鉆石材料在高技術(shù)領(lǐng)域的應(yīng)用潛力。

       培育鉆石具有超低阻值,減少散熱需求,還可淀積在硅、玻璃、藍(lán)寶石和金屬襯底上,有望重新激發(fā)微處理器運(yùn)算速度的演進(jìn)。此前,由于無(wú)法有效散熱,微處理器的運(yùn)算速度在5GHz左右已徘徊了10年。對(duì)于硅材料,5GHz是個(gè)極限,因?yàn)楦叩墓暮蜔狳c(diǎn)會(huì)將微處理器化為泡沫,而培育鉆石有著22倍于硅、5倍于銅的熱傳導(dǎo)能力,將使微處理器的運(yùn)算速度達(dá)到新的高度,催生新一代微處理器的誕生。培育鉆石技術(shù)還將使摩爾定律得到延續(xù)。在培育鉆石面臨單原子級(jí)之前還有十二代可縮小空間,而硅則將在2025年達(dá)到原子級(jí)發(fā)展極限。

       培育鉆石不單是莫氏硬度表上最堅(jiān)硬的材料,也有著良好的導(dǎo)熱性。與硅相比,培育鉆石保持能量的能力更強(qiáng)。對(duì)于智能手機(jī)來(lái)說(shuō),培育鉆石制造的處理器能夠減少發(fā)熱量。智能手機(jī)不是唯一的受益者,對(duì)于想要縮小設(shè)備中電路體積的公司來(lái)說(shuō),培育鉆石處理器都能帶來(lái)幫助。

       另外,重工業(yè)和航空航天業(yè)也需要培育鉆石處理器件來(lái)抵御高強(qiáng)度的輻射和X射線。基于培育鉆石技術(shù)能夠提高功率密度,并為消費(fèi)者創(chuàng)造更快、更輕、更簡(jiǎn)單的設(shè)備。比硅芯片更便宜、更薄,基于培育鉆石的電子產(chǎn)品可能成為高能效電子產(chǎn)品的行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)。

 

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