日本DISCO公司的科學家們使用一種稱為關鍵無定形黑色重復吸收（key amorphous-black repetitive absorption，KABRA）的專利和正在申請專利的激光材料加工技術，可以將碳化硅（SiC）晶圓的生產率提升到原來的四倍，并且在提高產量的同時減少材料損耗。該技術適用于單晶和多晶錠，不管晶體層的取向如何。目前，SiC 功率器件在市場中的滲透較慢，主要是因為其產量小、且生產成本高。然而，KABRA 方法能夠顯著提高 SiC 器件的產量，并且應該能夠使 SiC 器件作為功率器件、空間反射鏡、超穩定光學模具和輻射熱測量計等產品而獲得更多的市場驅動力量。
　　為了使用厚度為 20mm、直徑為4英寸的晶錠生產厚度為 350μm 的SiC 晶圓，傳統的使用金剛石線鋸的加工工藝，切割每片晶圓需要 1.6~2.4小時，隨后還要進行雙面研磨工藝和最終拋光工藝，從一個晶錠生產 30片晶圓，總共需要 2.5~3.5 天的時間。雖然許多拋光工藝正在開發中，但 SiC 仍然是一種非常堅硬的易碎材料，由于在機械切割過程中形成深的起伏凹槽，所以 SiC 必須非常仔細地進行研磨。 　　從其名字上可以看出，KABRA 工藝本質上將激光聚焦在 SiC 晶片的內部，通過重復通過或“無定形黑色重復吸收”，將 SiC 分解成無定形硅和無定形碳，并形成作為晶圓分離基點的一層，即黑色無定形層吸收更多的光，從而能夠很容易地分離晶圓（見圖 1）。
　　與傳統工藝中的 1.6~2.4 小時相比，KABRA 工藝僅用 25 分鐘來分離每片晶圓，與使用常規切片工藝、每片晶圓將帶來 200μm 的材料損耗相比，KABRA 工藝在分離期間并不產生材料損耗。此外，金剛石鋸片分離的晶圓需要 16 小時的最終研磨時間，這在 KABRA 工藝中也是不需要的。
　　總之，利用傳統工藝，從一個晶錠中生產出 30 片晶圓，需要 2.5~3.5天的時間 ；而使用 KABRA 工藝，從一個晶錠中生產出 44 片晶圓，僅需要 18 小時的時間，這相當于 3~5 倍的生產率提升（或者說產能大約為原來的四倍）。