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申請號： 201110173385申請人： 江蘇順大半導體發展有限公司
摘要：本發明公開了一種液體拋光單晶硅片的方法，采用混合了細粒度金剛石磨料的硅溶膠作為液體磨削介質，在高速轉動的渦輪帶動下，磨削液相對于單晶硅片加工表面做高速運動，磨削液中的金剛石液力推動下對單晶硅片產生一定碰撞和刮擦作用，實現對單晶硅片得低應力磨削。本發明提供的液體拋光單晶硅片的方法，使單晶硅片的表面僅存在細小的磨料劃痕，不會像化學機械拋光法加工的硅片那樣留下腐蝕坑，同時液體拋光后單晶硅片應力層厚度可控制在５ｎｍ以下。
獨立權利要求：１．一種液體拋光單晶硅片的方法，其特征在于：該方法包括如下步驟：（１）將粒徑為５μｍ－１５μｍ的金剛石磨料浸泡于無水乙醇溶液中，通過超聲波清洗該金剛石磨料１．０ ｈ －１．５ ｈ；（２）將清洗后的金剛石磨料濾出，并置于７０℃－９０℃的烘箱中干燥２ ｈ －２．２ ｈ；（３）將干燥后的金剛石磨料浸漬于ＫＨ５５０硅烷偶聯劑與無水乙醇的體積比為１：４．５－１：５．５的混合液中，密閉加熱至５５℃－６５℃，保溫１．０ ｈ －１．５ ｈ；（４）使用濾紙濾出金剛石磨料，置于１４０℃－１６０℃的烘箱中干燥２ ｈ －２．２ ｈ；（５）將金剛石磨料與固相含量為４．５％－５．５％的硅溶膠按質量比為１：９８－１：１００的比例混合，在轉速為１００ｒ／ｍｉｎ－１１０ｒ／ｍｉｎ的條件下，攪拌混合１．０ ｈ －１．５ｈ，獲得磨削液；（６）將干燥后的單晶硅片水平置于磨削液內，單晶硅片的上方和下方設有渦輪，調節單晶硅片的高度及磨削液量，使單晶硅片的上表面與位于其上方的渦輪底部距離為３ｃｍ－３．５ｃｍ，單晶硅片的下表面與位于其下方的渦輪頂部距離也為３ｃｍ－３．５ｃｍ，且單晶硅片的上表面與磨削液的液面距離為２．５ｃｍ－３ｃｍ；（７）同時啟動兩個渦輪電機，設定其工作時間為１ｈ－１．５ｈ，轉速為２００００ｒ／ｍｉｎ－２２０００ｒ／ｍｉｎ，兩個渦輪的旋轉方向相同；（８）取出單晶硅片，置于無水乙醇中，使用超聲波清洗１ｈ－１．５ｈ；（９）將單晶硅片置于室溫下干燥５ｈ－８ｈ，完成拋光。
豫公網安備41019702003646號